SK하이닉스 이천에 반도체 연구개발센터

SK하이닉스 이천에 반도체 연구개발센터

이경주 기자
이경주 기자
입력 2017-09-28 17:40
수정 2017-09-28 17:57
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2000억 투입 2019년까지 건설…낸드플래시 인력 4000명 한곳에

SK하이닉스가 2000억원 이상을 투입해 낸드플래시 메모리 반도체 및 미래산업을 다루는 연구개발센터(조감도)를 만든다. 낸드플래시 메모리 분야의 글로벌 선두그룹인 일본 도시바 메모리 인수에 핵심 역할을 한 데 이어 관련 분야의 연구 메카를 구축하면서 반도체 슈퍼사이클(장기 호황)에 선제적으로 대처하겠다는 것이다.
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SK하이닉스는 28일 “반도체 기술 역량을 극대화하기 위해 2000억원 이상을 투자해 경기 이천 캠퍼스에 연구개발센터를 건설한다”며 “올 10월 착공해 2019년 9월 완공되면 여러 건물에 분산돼 있던 미래기술연구원과 낸드플래시 개발 사업부문의 인력들을 모두 한 공간에 수용하게 된다”고 밝혔다.

연구개발센터는 지상 15층, 지하 5층으로 연면적 약 9만㎡에 4000명 이상의 인력을 수용하게 된다. 또 이 건물은 D램 개발사업부문 등이 입주한 수펙스센터 건물에 인접해 통합 연구개발 허브가 될 것으로 SK하이닉스는 기대하고 있다.

SK하이닉스는 반도체 기술 역량을 더욱 강화하기 위해 올해 1000명 이상을 채용하고, 내년에도 비슷한 수준의 인력을 뽑을 계획이다. 전체 임직원 2만 8000여명 중 약 20%가 연구개발 인력이다.

이경주 기자 kdlrudwn@seoul.co.kr

2017-09-29 20면
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